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Si4310BDY
Vishay Siliconix
CHANNEL-2 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
50
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.020
0.016
0.012
0.00 8
0.004
0.000
I D = 14 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
100
V SD - S o u r c e - t o - D r a i n V o l t a g e ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
200
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
10
160
1
V DS = 30 V
V DS = 24 V
120
0.1
8 0
0.01
0.001
40
0.0001
0
25
50
75
100
125
150
0
0 . 0 0 1
0.01
0 . 1
1
10
T J - Temperat u re (°C)
Reverse Current vs. Junction Temperature
100
Limited b y R DS(on) *
10
1 ms
Time (s)
Single Pulse Power
1
10 ms
100 ms
1s
0.1
0.01
T C = 25 C
Single P u lse
10 s
DC
Document Number: 73064
S09-2436-Rev. B, 16-Nov-09
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Case
www.vishay.com
7
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